激光二极管包括单 异质结 （SH）、双异质结（DH）和 量子阱 （QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是市场应用的主流产品。同 激光器 相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能 模拟信号 。在双向光 无线电接收机 的回传模块中，上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。
起源
激光的产生
在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，
一是处于高能态的粒子自发向低能态跃迁，称之为 自发辐射 ；
二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；
三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。
自发辐射，即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子，它们发出光的 相位 、偏振状态、发射方向也可能不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来 光子 的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在 激光器 中，发生的辐射就是受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的 粒子数 大于低能态的粒子数（这样情况称为粒子数反转），才能发出激光。
产生激光的三个条件 是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中就是要把 价带 内的 电子 抽运到 导带 。为了获得粒子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近就出现了粒子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV以上的价带中贮存着 空穴 。实现 粒子数 反转是产生 激光 的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗极小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，激活物质所发出的受激辐射光在两个反射镜之间来回反射，不断引起新的受激辐射，使其不断被放大。只有受激辐射放大的增益大于 激光器 内的各种损耗，即满足一定的阈值条件：
P1P2exp（2G - 2A) ≥ 1
（P1、P2是两个反射镜的 反射率 ，G是激活介质的增益系数，A是介质的损耗系数，exp为 常数 ），才能输出稳定的 激光 ，另一方面，激光在谐振腔内来回反射，只有这些光束两两之间在输出端的相位差Δф =2qπ q=1、2、3、4。时，才能在输出端产生加强干涉，输出稳定激光。设谐振腔的长度为L，激活介质的 折射率 为N，则
Δф=（2π/λ）2NL=4πN(Lf/c)=2qπ，
上式可化为f=qc/2NL该式称为谐振条件，它表明谐振腔长度L和折射率N确定以后，只有某些特定频率的光才能形成光振荡，输出稳定的激光。这说明谐振腔对输出的 激光 有一定的选频作用。
发展
上世纪60年代发明的一种光源，命名为激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母缩写。
1962年秋首次研制出 77K下脉冲受激发射的同质结 GaAs 激光二极管。
1964 年将其工作温度提高到室温。
1969年制造出室温下脉冲工作的单 异质结 激光二极管，
1970年制成室温下连续工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结(DH)激光二极管。此后，激光二极管迅速发展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二极管的寿命提高到105小时以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 长波长DH激光二极管也取得重大进展，因而推动了光纤通信和其他应用的发展。此外还出现了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的远红外波长激光二极管。
简介
半导体激光二极管 的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以 是半导体 晶体 的 解理面 ，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的 激光 作用。
半导体中的光发射通常起因于 载流子 的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使 电子 从N区经PN结注入P区， 空穴 从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的 光子 ，其公式如下：
λ = hc/Eg ⑴
式中：h— 普朗克常数 ； c— 光速 ； Eg—半导体的禁带宽度。
上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为 自发辐射 。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的 载流子 复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，则会形成和 热平衡 状态相反的载流子分布，即 粒子数 反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下，少量自发辐射产生的 光子 由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射，造成选频谐振正反馈，或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时，就可从PN结发出具有良好 谱线 的相干光——激光，这就是 激光二极管的简单原理 。
应用
随着技术和工艺的发展，多层结构。
常用的激光二极管有两种：① 引脚 光电二极管 。它在收到光功率产生光电流时，会带来量子噪声。② 雪崩 光电二极管。它能够提供内部放大，比PIN光电二极管的传输距离远，但量子噪声更大。为了获得良好的 信噪比 ，光检测器件后面须连接低噪声预 放大器 和主放大器。
常用参数
⑴波长：即激光管工作波长，可作 光电开关 用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、 690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。
⑵阈值电流Ith ：即 激光 管开始产生激光振荡的电流，对一般小功率激光管而言，其值约在数十毫安，具有应变多 量子阱 结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。
⑶工作电流Iop ：即激光管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。
⑷垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度，一般在15˚~40˚左右。
⑸水平发散角θ∥：激光二极管的发光带在与PN结平行方向所张开的角度，一般在6˚~ 10˚左右。
⑹监控电流Im ：即激光管在额定输出功率时，在 引脚 管上流过的电流。
激光 二极管在 计算机 上的光盘驱动器， 激光打印机 中的打印头， 条形码 扫描仪 ，激光测距、激光医疗，光通讯，激光指示等小功率光电设备中得到了广泛的应用，在 舞台灯光 、激光手术、 激光焊接 和 激光武器 等大功率设备中也得到了应用。
工作原理
晶体 二极管 为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建 电场 。当不存在外加电压时，由于p-n结两边 载流子 浓度差引起的 扩散电流 和自建电场引起的 漂移电流 相等 而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向 饱和电流 I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量 电子 空穴 对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为 整流管 的击穿现象。
导电特性
二极管 最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入， 负极 流出。下面通 过简单的
实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1·正向特性
在 电子电路 中，将二极管的正极接在高 电势 端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后， 二极管 才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
2·反向特性
在 电子电路 中，二极管的正极接在低 电势 端， 负极 接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 激光 二极管的注入电流必须大于临界 电流密度 ，才能满足居量反转条件而发出激光。临界电流密度与接面温度有关，并且间接影响效益。高温操作时，临界电流提高，效益降低，甚至损坏组件。
特色
当激光二极管注入电流在临界电流密度以下时，发光机制主要是自发放射，光谱分散较广， 带宽 大约 在100到500埃（埃=10-1奈米， 原子 直径的数量级就是几个埃〉之间。但当电流密度超过临界值时，就开始产生振荡，最后只剩下少数几个模态，而频宽也减小到30埃以下。而且， 激光 二极管的消耗功率极小，以双异质结构激光为例，最大的额定电压通常低于2 伏特 ，输入电流则在15到100毫安之间，消耗功率往往不到一瓦特，而输出功率达数十毫瓦特以上。
激光二极管的特色之一，是能直接从电流调制其输出光的强弱。因为输出光功率与输入电流之间多为 线性关系 ，所以激光 二极管 可以采用模拟或数字电流直接调制输出光的强弱，省掉昂贵的 调制器 ，使二极管的应用更加经济实惠。
发光原理
激光二极管的发光原理：激光二极管中的P-N结由两个掺杂的 砷化镓 层形成。它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。要发射的光的波长与连接处的长度正好相关。当P-N结由外部电压源正向偏置时， 电子 通过结而移动，并像普通二极管那样重新组合。当电子与 空穴 复合时， 光子 被释放。这些光子撞击 原子 ，导致更多的光子被释放。随着正向 偏置电流 的增加，更多的电子进入耗尽区并导致更多的光子被发射。最终，在耗尽区内随机漂移的一些光子垂直照射反射表面，从而沿着它们的原始路径反射回去。反射的光子再次从结的另一端反射回来。光子从一端到另一端的这种运动连续多次。在光子运动过程中，由于 雪崩效应 ，更多的原子会释放更多的光子。这种反射和产生越来越多的光子的过程产生非常强烈的激光束。在上面解释的发射过程中产生的每个 光子 与在 能级 ， 相位 关系和频率上的其他光子相同。因此，发射过程给出单一波长的激光束。为了产生一束 激光 ，必须使激光二极管的电流超过一定的阈值电平。低于阈值水平的电流迫使 二极管 表现为LED，发出非相干光。
种类
DFB-LD
F-P(法布里-珀罗）腔LD已成为常规产品，向高可靠低价化方向发展。DFB-LD的激射波长主要由器件内部制 备的微小折射 光栅 周期决定，依赖沿整个有源层等间隔分布反射的皱褶波纹状结构光栅进行工作。DFB-LD两边为不同材料或不同组分的半导体晶层，一般制作在 量子阱 QW有源层附近的 光波导 区。这种波纹状结构使光波导区的 折射率 呈 周期性 分布，其作用就像一个谐振控，波长选择机构是光栅。利用QW材料尺寸效应和DFB光栅的选模作用，所激射出的光的 谱线 很宽，在高速率调制下可动态单 纵模 输出。内置 调制器 的DFB-LD满足光 发射机 小型、低功耗的要求。
DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物，在1550nm 波段 内，最成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟，国际上仅少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构，有源区为应变 超晶格 QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB 光栅 ，采用一些特殊的设计，如：波纹 坡度 可调分布 耦合 、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构，提高器件性能。生产技术中， 金属有机化学 汽相淀积MOCVD和光栅的 刻蚀 是其关键工艺。MOCVD可精确控制 外延 生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个 原子 层的厚度，生长效率高，适合大批量制作，反应离子束刻蚀能保证光栅 几何图形 的均匀性，电子束产生 相位 掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备，对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。
同一芯片上集成多波长DFB-LD与外腔电吸收 调制器 的单芯片光源也在发展中。研制成功的电吸收调制器集成光源，采用有源层与调制器吸收层共用多QW结构。调制器的作用如同一个高速开关，把LD输出变换成 二进制 的0和1。在一块芯片上形成40种不同的折射 光栅 ，波长1530--1590nm的40路调制器集成光源，信道间隔为200GHz。其开发目标是集成100个发射波长的LD阵列，以进行9.5THz超大容量的通信。
VCSEL
VCSEL（垂直腔面发射 激光 ） 二极管 的特点如下：从其顶部发射出圆柱形 射束 ，射束无需进行不对称矫正或散光矫正，即可调制成用途广泛的 环形 光束，易与 光纤 耦合 ；转换效率非常高，功耗仅为边缘发射LD的几分之一；调制速度快，在1GHz以上；阈值很低，噪声小；重直腔面很小，易于高密度大规模制作和成管前整片检测、封装、组装，成本低。
VCSEL采用 三明治 式结构，其中间只有20nm、1--3层的QW增益区，上、下各层是由多层 外延 生长薄膜形成的高 反射率 为100%的 布拉格 反射层，由此构成谐振腔。 相干性 极高的激光束最后从其顶部激射出。多家厂商有1550nm低损耗窗口与低色散的可调谐VCSEL样品展示。1310nm的产品预计在今后1--2年内上市。可调谐的典型器件是将一只普通980nmVCSEL与微光机电系统的反射腔集成组合，由曲形顶镜、增益层、反射底镜等构成可产生中心波长为1550nm的可调谐结构，用一个 静电 控制电压将位于支撑薄膜上的顶端反射镜定位，改变控制电压就可调整谐振腔体间隙尺寸，从而达到调整输出波长的目的。在1528--1560nm范围连续可调谐43nm，经过2.5Gb/s传输500km实验无误码，边模抑制优于50dB。如果发射波长在1310--1550nm之间的VCSEL能够商业化生产，将会进一步促进光通信发展，使光网络更加靠近家庭。已有许多公司公布了这种波长的VCSEL 原型机 的一些技术数据。
DBR-LD
DBR-LD（分布 布拉格 反射器激光二极管）最具代表性的是超结构 光栅 SSG结构。器件中央是有源层，两边是折射光栅形成的SSG区，受 周期性 间隔调制，其反射光谱变成梳状峰，梳状光谱重合的波长以大的不连续变化，可实现宽范围的波长调谐。采用DBR-LD构成波长 反激式变压器 ，与 调制器 单片集成，其芯片左侧为双稳态 激光器 部分，有两个激活区和一个用作饱和吸收的隔离区；右侧是波长控制区，由移相区和DBR构成。
1550nm多冗余功能可调谐DBR-LD可获得16个频率间隔为100GHz或32频率间隔为50GHz的波长，随着大约以10nm间隔 爬模 ，可获得约100nm的波长调谐。除保留已有的处理和封装工艺外，还增加了纳秒级的波长开关，扩大调谐范围。
FG-LD
FG-LD( 光纤光栅 激光二极管）利用已成熟的封装技术，将含有FG的光纤与端面镀有增透膜的F-P腔LD 耦合 而 成可调谐外腔结构的 激光器 ，由LD芯片、空气间隙、光纤前端的光纤部分组成，光学谐振腔在光栅和LD外端面之间。LD的内端面镀有增透膜，以减小其F-P模式，FG用来反馈选模，由于其极窄的滤波特性，LD工作波长将控制在光栅的 布拉格 发射峰 带宽 内，通过加压应变或改变温度的方法，调谐FG的布拉格波长，就可以得到波长可控制的 激光 输出。FG-LD制作组装相对简单，性能却可与DFB-LD相比拟，激射波长由FG的布拉格波长决定，因此可以精控， 单模 输出功率可达10mW以上，小于2.5kHz的线宽，较低的相对强度噪声与较宽的调谐范围（50nm），在光通信的某些领域有可能替代DFB-LD。已进行用于2.5Gb/sx64路的信号传输的实验，效果很好。
GCSR-LD
GCSR-LD（ 光栅 耦合 采样反射激光二极管）是一种波长可大范围调谐的LD，其结构从左往右分别为增益、 耦合器 、 相位 、反射器区域，改变其增益、耦合、相位和反射器各个部分的注入电流，就可改变其发射波长。此LD波长可调范围约80nm，可提供322个 国际电信联盟 ITU-T建议的波长表内的波长，已进行寿命试验。
MOEMS-LD
MOEMS-LD（微光机电系统激光二极管）用 静电 方式控制可移动表面设定或调整光学系统中物理尺寸，进行光波的水平方向调谐。采用 自由空间 微光学平台技术，控制腔镜位置实现F-P腔腔长的变化，带来60nm的可调谐范围。这种结构既可作可调谐 光器件 ，也可用于 半导体激光器 集成，构成 可调谐激光器 。
其它类型LD
光模块 激光 二极管内置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制电路、驱动电路，输出光信号。其体积小，可靠性高，使用方便，在 城域网 、同步传输系统、同步 光纤 网络中都大量采用2.5Gb/s光发射模块，10Gb/s、40Gb/s处于初期试用阶段，向高速化、低成本、微型化发展。利用 高分子材料 均聚物 折射率 随温度变化特性， 加热器 改变高分子材料 光栅 温度，引发其折射率和光栅节距变化，使其反射波长改变。已研制出Polymer-AWG波长可调的集成模块，有16个波长通道，波长间隔200GHz，插损8--9dB， 串扰 25dB。用一个高速 调制器 对每个波长进行时间调制的多波长LD正处于研制阶段。这是一种全新的多波长和波长可编程光源。
结构性能
物理结构
是在 发光二极管 的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的 物理性质 与材料有关。
在VCD机中， 半导体激光二极管 是激光头的核心部件之一，它大多是由双异质结构的镓铝砷(AsALGA)三元化合物构成的。是一种近红外 半导体器件 ，波长为780～820 nm， 额定功率 为3～5 mw。另外，还有一种 可见光 (如红光)半导体激光二极管，也广泛应用于VCD机以及 条形码 阅读器中。
激光二极管的外形及尺寸如图1所示。其内部结构类型有三种，如图2所示。
由图2可见，激光 二极管 内包括两个部分：第一部分是激光发射部分(可用LD表示)，它的作用是发射激光，如图中 电极 (2);第二部分是 激光 接受部分(可用PD表示)，它的作用是接受、监测LD发出的激光(当然，若不需监测LD的输出，PD部分则可不用)，如图中电极(3);这两个部分共用公共电极(1)，因此，激光二极管有三个电极。
激光二极管具有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点，但它对 过电流 、 过电压 以及 静电 干扰极为敏感，因此，在使用时，要特别注意不要使其工作参数超过其最大允许值，可采用的方法如下：
(1)用直流 恒流源 驱动激光二极管。
(2)在 激光 _极管电路上串联限流 电阻 ，并联旁路 电容器 。
(3)由于激光 二极管 温度升高将增大流过它的电流值，因此，必须采用必要的散热措施，以保证器件工作在一定的温度范围之内。
(4)为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏，可在其两端反并联上快速硅二极管。
检测方法
（1）阻值测量法：拆下激光二极管，用 万用表 R×1k或R×10k档测量其正、反向 电阻值 。正常时，正向电阻值为20~40kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正向 电阻 已超过50kΩ，则说明 激光 二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ，则说明该 二极管 已严重老化，不能再使用了。
（2）电流测量法：用万用表测量激光二极管驱动电路中 负载电阻 两端的电压降，再根据 欧姆定律 估算出流过该管的电流值，当电流超过100mA时，若调节激光功率 电位器 ，而电流无明显的变化，则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控，则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。
注意事项
1.激光二极管发射的激光有可能对人眼造成伤害。二极管工作时，严禁直接注视其端面，不能透过镜片直视激光，也不能透过反 视镜 观察激光。
2.器件需要合适的驱动电源，瞬时反向电流不能超过2uA，反向电压不得超过3V,否则会损坏器件。驱动电源子在电源通断时，要防止浪涌电流的措施。用 示波器 测试驱动电路时，要先断开电源再连接示波器 探头 ，若在通电情况下测试探头，可能引用浪涌电流损坏器件。
3.器件应存放或工作于干净的环境中。
4.在较高温度下工作，会增大阀值电流，较低转化频率，加速器件的老化。在调整光输入量时，要用光功率表检测，防止超过大额定输出。
5.输出功率高于指定参数工作，会加速元件老化。
6.机器需要充分散热或在制冷条件下使用，激光二极管的温度严格控制在20度以下，保证寿命。
7.二极管属于 静电 敏感器件，在人体有良好的情况下才可以拿取，防静电可以采用防静电 手镯 的方法。
8.激光器的输出波长受工作电流与散热的影响，要保持良好的散热条件，降低工作时管芯的温度。加散热器防止激光二极管在工作中温升过高。