多晶硅（英文名：Polycrystalline 硅 ，简称polysilicon)是单质硅的一种形态，硅原子以 金刚石 的晶胞结构排列成晶核，晶核会往各个方向生长形成晶面取向不同的晶粒，而这些晶粒结合后便形成了多晶硅，晶格常数为a=0.543 nm。多晶硅一般是具有金属光泽的灰黑色固体，密度（在25 ℃下）为2.32 至 2.34 g/cm³， 熔点 为1410 ℃， 沸点 为2355 ℃， 莫氏硬度 为7，具有热塑性。多晶硅能溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。多晶硅的化学性质在常温下稳定，高温下才会与其他物质发生化学反应生成 硅化物 。
多晶硅具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质会大大影响其导电性， 多晶硅按纯度分为电子级、太阳能级和冶金级。 在工业中，多晶硅可被用于太阳能光伏产业制造太阳能电池，其性价比较单晶硅太阳能电池高。 此外，多晶硅还广泛用于全球电子工业，制造半导体晶体管等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代 人工智能 、自动控制、信息处理、光电转换等 半导体器件 的电子信息基础材料。
发现及利用历史
1865年， 美国 杜邦 公司 开发出锌还原法（又称 杜邦法 ），在950~1000 ℃的高温下通过锌还原 四氯化硅 得到了 电阻率 在30-100 Ωcm的多晶硅样品。 1918年 ， 波兰 科学家Jan Czochralski（杨.柴可拉斯基）建立了一种生长单晶体金属的方法一一提拉法。1948年，美国科学家Gordon Teal(戈登.蒂尔）和JohnLittle(约翰.利特尔）应用了此柴氏提拉 晶体生长 法，首先是生长出了 单晶 锗，再进而生长出了 单晶硅 。不过，多晶硅还是随着 太阳能电池 才开始在工业上广泛应用，美国科学家Chapin（恰宾）等人于1954年在贝尔实验室发明了 四氯化硅 氢还原法生产多晶硅的方法，并且开发了世界上第一个太阳能硅电池，这对解决全球 能源危机 问题具有重大的现实意义。
自 太阳能 硅电池的发明之后，即20世纪五六十年代开始，多晶硅开始在全球进行产业化。中国在1979年生产太阳能硅电池，且在中国第10个五年 光伏 攻关计划中明确提出 多晶硅太阳能电池 的目标是效率提高到13%以上，多晶硅 薄膜电池 的效率也要提高到8%以上。
多晶硅的结构
多晶硅是由多个细小的 晶体硅 构成的，晶体硅的晶胞结构是 金刚石 晶胞结构，如下图所示，连接硅 原子 的是原子键，由两侧的硅原子各出一个 价电子 形成。硅原子有四个未成对价 电子 ，这四个价电子分别与周围四个硅原子的一个价电子结合形成四个 共价键 ，因此每个硅原子的外层电子都达到了饱和，共同组成了 化学性质 稳定的硅 单质 晶体 。
理化性质
物理性质
多晶硅是具有金属光泽的灰黑色固体，密度（在25 ℃下）为2.33g/mL， 熔点 为1410 ℃， 沸点 为2355 ℃， 莫氏硬度 为7。硬度介于锗和 石英 之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。不溶于水、 硝酸 和 盐酸 ，但易溶于稀碱溶液、 氢氟酸 硝酸的混合溶液以及加少量 三氧化铬 的氢氟[fú]酸溶液。
多晶硅的机械性能取决于其晶粒尺寸。 多晶硅的临界 应力强度 因子在25 ℃时约为1.7 MPa，在925 ℃下为3.3 MPa。 通过扭曲和四点弯曲测试发现边缘缺陷以及表面缺陷都会导致断裂强度变小，因此在多晶硅的实际生产中要减少缺陷以提高多晶硅的强度。
化学性质
多晶硅的化学性质在常温下稳定，高温下与氧、氮、硫等反应生成 硅化物 。高温熔融状态下，具有较大的 化学 活泼性，几乎能与任何材料作用。其化学性质和单质硅类似。
半导体性质
由硅单质的 化学 结构或者 电子 排布可以看出，纯的硅 晶体 是 价电子 饱和而稳定因此没有导电能力的，但温度升高热运动加剧会使被束缚在 共价键 中的电子脱离束缚，从而拥有导电性。 多晶硅具有良好的半导体性质，温度越高， 电导率 越大。 其 电阻率 指数取决于晶界的存在以及杂质元素含量的水平，如多晶硅中掺杂的少量杂质元素可有利于形成P、N型半导体。 另外，其 电导率 也与 晶粒 大小有关电导率随晶粒增大而增加。
制备方法
多晶硅的分类方式有多种，按照纯度被分为冶金级多晶硅（Metallurgical-grade 硅 ，MG-Si,也被称为 工业硅 ，纯度一般为99%左右）、 太阳 级多晶硅（Solar-grade Silicon,SoG-Si纯度一般为99.9999%）和 电子级多晶硅 （Electronic-grade Silicon, EG- Si，纯度一般为99.99999999%-99.9999999999%），下面来分别介绍其制备方法。
冶金级多晶硅的制备方法
冶金级多晶硅也被称为工业硅，工业上曾用过碳和铝还原两种方法制备冶金级多晶硅，但由于铝还原产生冶金级多晶硅法会引入过多金属，因此目前工业上用的是碳还原方法，利用碳和 二氧化硅 之间发生的 氧化还原反应 ，原料是 石英 矿石 和 焦炭 ， 化学方程式 如下所示。
太阳级多晶硅的制备方法
太阳 级多晶硅对纯度的要求极高，一般由冶金级多晶硅 提纯 得到，按提纯是否发生 化学 变化分为化学法和冶金法两大类。
化学法生产太阳级多晶硅
改良西门子法
西门子 法是传统工业上利用化学法提纯太阳级多晶硅的工艺方法，在西门子法的基础上增加尾气回收系统和 氯化硅 再利用技术，就是改良西门子法，又被称为 三氯氢硅 氢还原法，是现在世界上应用最广泛的生产太阳级多晶硅的方法。该法以冶金级多晶硅与 无水 氯化氢 为原料生成高纯度 三氯氢硅 后，利用 氢气 还原为高纯度的 太阳 级多晶硅。 具体工艺分为 三氯氢硅 合成及 提纯 工序、 三氯氢硅 还原工序、还原尾气回收工序和四氯化硅 氢化 再利用工序一共四个工序。
与传统的 西门子 法相比，改良西门子法降低了能耗、回收利用了尾气节省物料且反应体系封闭，对环境友好。
热解硅烷法
热解 硅烷 法是以冶金级多晶硅、 氢气 和 氯化硅 为原料， 制得的 硅 气体经高温热分解得到太阳级多晶硅。反应方程式和工艺 流程图 如下所示。该法生产的硅烷容易 提纯 、含硅量高、热解速度快、热解温度低，且热解率高达99 %，不过硅烷是易燃易爆物品，因此该方法没有被大多数多晶硅生产公司采取。
为了提升多晶硅纯度，基于上述热解 硅烷 法的反应原理，对 反应器 装置进行了改进，称为流化床法（英文名：fluidized bed reactor），也被简称为FBR法。该法利用了流化床态的工程原理， 反应接触面积更大，沉积效率高，且生产连续化、反应温度低，适用于 太阳 级及 电子级多晶硅 的生产。
冶金法生产太阳级多晶硅
冶金法生产太阳级多晶硅又称为物理法，就是将工业级多晶硅直接高温 冶炼 得到太阳级多晶硅，不过冶金法生产的太阳级多晶硅纯度有限，只能用于工业上 太阳能电池板 的制造，达不到 电子 级半导体用硅的纯度要求。 但与 化学 法相比，冶金法也具有能耗低、几乎无污染、成本低的优势。
定向凝固法
定向凝固是指在凝固过程中采用强制手段建立起特定方向的 温度梯度 ，从而使硅沿着与热流相反的方向凝固的 提纯 技术。在硅的定向凝固过程中，杂质和硅往不同方向输送和富集。等硅熔体全部结晶完成之后，再切除杂质浓度高的部分以此提纯得到高纯度 太阳 级多晶硅。
电子束精炼法
电子束精炼法顾名思义就是用高密度电子束作为热源轰击硅表面，这个方法要在高真空下进行，在此高温条件下，Si的饱和蒸气压较低，而其中的杂质如Al、P、Ca等的饱和蒸气压普遍较高，故而在高温、真空环境下，当高密度电子束轰击硅时，蒸气压大的杂质会不断挥发，从而达到硅精炼的目的。电子束精炼法的能量大，因此除杂效果好，且不受硅材料形状影响，不过缺点是硅也会有所损失。
此外，如商日本德山公司开发的汽-液沉积法（Vapor to 羧基液体丁腈橡胶 Deposition，简称VLD，又被称为 蒸汽- 液体沉积法）、区域熔化 提纯 法和无氯技术（ 氯 Free Technology）等也可用于制备 太阳 级多晶硅。
电子级多晶硅的制备方法
电子级多晶硅的制备方法跟太阳级多晶硅的 化学 法有相同之处，只是纯度要求更高，故对制备技术的要求也极高。 中国 常采用 硅烷 CVD法以及 改良 西门子 法 。
应用领域
太阳能光伏产业
太阳能光伏产业名称的由来是硅材料的光伏效应，利用此效应可以将光能转化为电能。 晶硅 太阳能 是 光伏产业 的主流技术，主要包括晶体硅电池、薄膜电池、第三代电池3种类型。晶体硅电池在2020年的市场份额占95.9%，其中多晶硅太阳能光伏电池转换效率约为19.3%~20.5%，市场份额占9.6%，2020年中国光伏产业年产值达4000亿元，已发展为全球光伏制造与应用大国。截至2025年10月13日，国产一级太阳能级多晶硅市场价格约为48元/千克（48000元/吨），进口一级太阳能级多晶硅出厂价格约为60元/千克（60000元/吨）。
电子产业
多晶硅是 微电子技术 中非常重要的一种材料，它被用作场效应 晶体管 的 栅极 材料以及设备之间的互连介质，多晶硅也可制作成 薄膜晶体管 用于3D 集成电路 和 平板显示器 。
电子级多晶硅 是制备 单晶硅 的主要原料，按照生产单晶硅的方法，电子级多晶硅又可以分为区熔用多晶硅和直拉多晶硅两类，前者采用区熔法生产单晶硅，主要用于大功率 半导体器件 ；后者采用直拉法生产单晶硅，可广泛应用于 手机芯片 等多种电子产品，在多晶硅的市场占比更大。
总的来说，多晶硅属于高新产业材料，随着全球信息化的到来以及对 清洁能源 的强烈需求，多晶硅在 太阳能光伏 产业和电子产业的需求量依然很高，世界半导体市场的高速发展也拉动了多晶硅的需求。
环境污染问题
多晶硅在生产过程中会产生多种废气，其中污染最严重的是 氯化硅 。 四氯化硅在受热时会释放出有毒且具有腐蚀性的气体。 用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地，草和树都不会在这里生长。 它具有潜在的极大危险，不仅有毒，对环境造成严重污染，回收成本还巨大。 中华人民共和国工业和信息化部 制定了《 多晶硅行业准入条件 》，通过控制多晶硅企业的个数、生产规模来减少环境污染。